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损耗降低25%,英飞凌发采新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET
采用TO263-7封装技术,英飞凌新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET实现了高频运行,缩小了系统尺寸并提高了功率密度。
雨来
2023-07-03 12:22
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+ 科技
纬湃科技与罗姆签署碳化硅长期供应合作协议
本次合作基于双方2020年签署的碳化硅芯片合作开发协议,最早将于2024年为两家主要客户批量生产碳化硅功率电子器件,此类芯片同时支持高效电驱动及快...
Andy
2023-06-20 16:58
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