采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC沟槽式MOSFET推动电动出行的发展

英飞凌日前宣布推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。

这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。

相比第一代产品，1200 V CoolSiC系列的开关损耗降低了25%，具有同类最佳的开关性能。

这种开关性能上的改进实现了高频运行，缩小了系统尺寸并提高了功率密度。

由于栅极-源极阈值电压（VGS(th)）大于4V且Crss/Ciss比率极低，因此在VGS=0 V时可实现可靠的关断，而且没有寄生导通的风险。

这使得单极驱动成为可能，从而降低了系统成本和复杂性。

另外，新一代产品具有低导通电阻（RDS(on)），减少了-55℃至175℃温度范围内的传导损耗。

先进的扩散焊接芯片贴装工艺（.XT技术）显著改善了封装的热性能，相比第一代产品，SiC MOSFET的结温降低了25%。

此外，这款MOSFET的爬电距离为5.89 mm，符合800 V系统要求并减少了涂覆工作量。

为满足不同应用的需求，英飞凌提供一系列RDS(on)选项，包括目前市场上唯一采用TO263-7封装的9 mΩ型。

KOSTAL Automobil Elektrik在其为中国OEM厂商提供的新一代OBC平台中采用了英飞凌最新的CoolSiC MOSFET。

KOSTAL是一家全球领先的汽车充电器系统供应商，通过其标准化平台方案为全球提供安全、可靠和高效的产品，可满足各OEM厂商的要求及全球法规。

英飞凌科技车规级高压芯片和分立器件产品线副总裁Robert Hermann表示：“低碳化是这十年的主要挑战，让我们更有动力与客户一起推动汽车的电气化进程。因此，我们十分高兴能够与KOSTAL合作。这个项目突出了我们的标准产品组合在采用先进SiC技术的车载充电器市场中的强大地位。”

KOSTAL ASIA副总裁兼技术执行经理Shen Jianyu表示：“英飞凌的新型1200V CoolSiC沟槽式MOSFET额定电压高、鲁棒性优异，是我们未来一代OBC平台的关键部件。这些优势有助于我们创造一个兼容的设计，以管理我们最先进的技术解决方案，实现优化成本和大规模的市场交付。”